MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 796-5077
制造商零件编号TK100E08N1
品牌东芝
RMB20.84
单位
N 214 A 80 V TO-220 3.2 mΩ TK 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 255 W
RS 库存编号 133-2810
制造商零件编号TPH8R903NL,LQ(S
品牌东芝
RMB4.368
/个 (每包:20个)
单位
N 38 A 30 V SOP 12.7 mΩ U-MOSVIII-H 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2.3V 1.3V 24 W
RS 库存编号 827-6277
制造商零件编号TK72E12N1,S1X(S
品牌东芝
RMB20.494
/个 (每包:5个)
单位
N 72 A 120 V TO-220 4.4 mΩ TK 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 225 W
RS 库存编号 171-2411
制造商零件编号T2N7002BK
品牌东芝
RMB0.362
个 (在毎卷:3000)
单位
N 400 mA 60 V SOT-23 1.75 Ω - 贴片 3 ±20 V 增强 2.1V 1.1V 1 W -
RS 库存编号 171-2477
制造商零件编号SSM3K361R
品牌东芝
RMB2.809
/个 (每包:25个)
单位
N 3.5 A 100 V SOT-23 92 mΩ - 贴片 3 ±20 V 增强 2.5V 1.5V 2.4 W
RS 库存编号 639-5512
制造商零件编号SSM3J117TU(TE85L)
品牌东芝
RMB2.735
/个 (每包:10个)
单位
P 2 A 30 V UFM 225 mΩ SSM3 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.6V - 800 mW
RS 库存编号 171-2471
制造商零件编号SSM3K339R
品牌东芝
RMB1.028
/个 (每包:50个)
单位
N 2 A 40 V SOT-23 390 mΩ - 贴片 3 ±12 V 增强 1.2V - 2 W

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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