MOSFET
80
筛选条件
| 描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
RS 库存编号
169-9282
制造商零件编号TSM2307CX RFG
|
RMB1.649
个 (在毎卷：3000)
单位
|
P | 3 A | 30 V | SOT-23 | 140 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | - | 1.25 W | 单 |
|
RS 库存编号
216-9670
制造商零件编号TSM070NB04LCR
|
RMB11.148
/个 (每包:25个)
单位
|
- | 75 A | 40 V | PDFN56 | 7 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9649
制造商零件编号TSM025NB04LCR
|
RMB16.05
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 161 A | 40 V | PDFN56 | 2.5 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9708
制造商零件编号TSM280NB06LCR
|
RMB5.917
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 28 A | 60 V | PDFN56 | 28 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
146-2235
制造商零件编号TSM6968DCA RVG
|
RMB2.417
个 (在毎卷：3000)
单位
|
N | 6.5 A | 20 V | TSSOP | 22 mΩ | - | 贴片 | 8 | -12 V、+12 V | 增强 | 1V | - | 1.04 W | 共漏极 |
|
RS 库存编号
216-9671
制造商零件编号TSM080N03EPQ56
|
RMB5.545
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 55 A | 30 V | PDFN56 | 8 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
171-3697
制造商零件编号TSM2308CX RFG
|
RMB5.198
/个 (每包:50个)
单位
|
N | 3 A | 60 V | SOT-23 | 192 mΩ | - | 贴片 | 3 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1.2V | 1.25 W | 单 |
|
RS 库存编号
216-9650
制造商零件编号TSM025NB04LCR
|
RMB23.437
/个 (每包:10个)
单位
|
- | 161 A | 40 V | PDFN56 | 2.5 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
171-3659
制造商零件编号TSM090N03CP ROG
|
RMB4.052
/个 (每包:25个)
单位
|
N | 55 A | 30 V | DPAK (TO-252) | 13 mΩ | - | 贴片 | 3 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1V | 40 W | 单 |
|
RS 库存编号
216-9709
制造商零件编号TSM280NB06LCR
|
RMB7.321
/个 (每包:25个)
单位
|
- | 28 A | 60 V | PDFN56 | 28 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9693
制造商零件编号TSM150NB04DCR
|
RMB8.442
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 38 A | 40 V | PDFN56 | 15 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9673
制造商零件编号TSM080N03PQ56
|
RMB4.956
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 73 A | 30 V | PDFN56 | 8 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9660
制造商零件编号TSM048NB06LCR
|
RMB16.05
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 107 A | 60 V | PDFN56 | 4.8 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9686
制造商零件编号TSM130NB06CR
|
RMB9.004
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 51 A | 60 V | PDFN56 | 13 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9691
制造商零件编号TSM150NB04CR
|
RMB5.917
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 41 A | 40 V | PDFN56 | 15 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9684
制造商零件编号TSM110NB04LCR
|
RMB6.69
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 51 A | 40 V | PDFN56 | 11 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
171-3651
制造商零件编号TSM060N03CP ROG
|
RMB4.678
/个 (每包:25个)
单位
|
N | 80 A | 30 V | DPAK (TO-252) | 9 mΩ | - | 贴片 | 3 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1V | 54 W | 单 |
|
RS 库存编号
216-9672
制造商零件编号TSM080N03EPQ56
|
RMB5.55
/个 (每包:50个)
单位
|
- | 55 A | 30 V | PDFN56 | 8 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9659
制造商零件编号TSM045NB06CR
|
RMB16.133
/个 (每包:10个)
单位
|
- | 104 A | 60 V | PDFN56 | 5 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4V | - | - | - |
|
RS 库存编号
216-9667
制造商零件编号TSM070NB04CR
|
RMB9.004
个 (在毎卷：2500)
单位
|
- | 75 A | 40 V | PDFN56 | 7 米Ω | TSM025 | - | 8 | - | 增强 | 4V | - | - | - |
MOSFET
MOSFET是什么？
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
- NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
- 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。
欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品，订购现货24小时内发货，线上下单满额免运费。
