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MOSFET

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显示 601 - 620 个产品，共 12067 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10.5 A, PowerDI3333-8, 贴片安装, 8引脚, DMG7430LFG-7
RS 库存编号 122-1465
制造商零件编号DMG7430LFG-7
品牌DiodesZetex
RMB1.092
个 (在毎卷：2000)
单位
 N 10.5 A 30 V PowerDI3333-8 15 MΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2V - 2.2 W 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 170 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH170N10P
RS 库存编号 193-509
制造商零件编号IXFH170N10P
品牌IXYS
RMB70.76
个
单位
 N 170 A 100 V TO-247 9 mΩ HiperFET, Polar 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 5V - 714000 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 17 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, IRF530NSTRLPBF
RS 库存编号 165-5884
制造商零件编号IRF530NSTRLPBF
品牌Infineon
RMB3.735
个 (在毎卷：800)
单位
 N 17 A 100 V D2PAK (TO-263) 90 mΩ HEXFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 70 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.5 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 787-9027
制造商零件编号SI4946BEY-T1-GE3
品牌Vishay
RMB9.216
/个 (每包:5个)
单位
 N 6.5 A 60 V SOIC 52 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - 1V 3.7 W 隔离式
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 31 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 753-3065
制造商零件编号IPW60R099CPFKSA1
品牌Infineon
RMB57.99
个
单位
 N 31 A 650 V TO-247 99 mΩ CoolMOS CP 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.5V 2.5V 255 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, SI4124DY-T1-GE3
RS 库存编号 812-3195
制造商零件编号SI4124DY-T1-GE3
品牌Vishay
RMB10.527
/个 (每包:10个)
单位
 N 20 A 40 V SOIC 9 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - 1V 5.7 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 17 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, IRF530NSTRLPBF
RS 库存编号 831-2837
制造商零件编号IRF530NSTRLPBF
品牌Infineon
RMB6.628
/个 (每包:20个)
单位
 N 17 A 100 V D2PAK (TO-263) 90 mΩ HEXFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 70 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 47 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SiHG47N60E-GE3
RS 库存编号 768-9332
制造商零件编号SiHG47N60E-GE3
品牌Vishay
RMB64.09
个
单位
 N 47 A 600 V TO-247AC 64 mΩ E Series 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 357 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 62 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, FDB2614
RS 库存编号 166-2541
制造商零件编号FDB2614
品牌onsemi
RMB18.981
个 (在毎卷：800)
单位
 N 62 A 200 V D2PAK (TO-263) 27 mΩ PowerTrench 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 - 3V 260 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4 A, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, FDC642P
RS 库存编号 166-3705
制造商零件编号FDC642P
品牌onsemi
RMB1.393
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 4 A 20 V SOT-23 100 mΩ PowerTrench 贴片 6 -12 V、+12 V 增强 - 0.4V 1.6 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.4 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, NTR4101PT1G
RS 库存编号 688-9152
制造商零件编号NTR4101PT1G
品牌onsemi
RMB2.595
/个 (每包:2个)
单位
 P 2.4 A 20 V SOT-23 85 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 1.2V - 730 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 12 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, FDB3632
RS 库存编号 671-0334
制造商零件编号FDB3632
品牌onsemi
RMB13.34
个
单位
 N 12 A 100 V D2PAK (TO-263) 9 mΩ PowerTrench 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 310000 mW 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, FDN352AP
RS 库存编号 671-0447
制造商零件编号FDN352AP
品牌onsemi
RMB1.937
/个 (每包:10个)
单位
 P 1.3 A 30 V SOT-23 180 mΩ PowerTrench 贴片 3 -25 V、+25 V 增强 - 0.8V 500 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 280 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF2804PBF
RS 库存编号 165-7622
制造商零件编号IRF2804PBF
品牌Infineon
RMB14.022
毎管：50 个
单位
 N 280 A 40 V TO-220 2 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 330 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 130 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS84LT1G
RS 库存编号 163-2367
制造商零件编号BSS84LT1G
品牌onsemi
RMB0.37
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 130 mA 50 V SOT-23 10 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V - 225 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 150 A, DFN, 贴片安装, 5引脚, NTMFS5C628NLT1G
RS 库存编号 922-9572
制造商零件编号NTMFS5C628NLT1G
品牌onsemi
RMB9.736
/个 (每包:5个)
单位
 N 150 A 60 V DFN 3.3 mΩ - 贴片 5 -20 V、+20 V 增强 2V 1.2V 110 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 15 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STW15NK90Z
RS 库存编号 920-6620
制造商零件编号STW15NK90Z
品牌STMicroelectronics
RMB48.443
毎管：30 个
单位
 N 15 A 900 V TO-247 550 mΩ MDmesh, SuperMESH 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4.5V 3V 350 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 20 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 124-9038
制造商零件编号BSZ100N06LS3GATMA1
品牌Infineon
RMB3.257
个 (在毎卷：5000)
单位
 N 20 A 60 V TDSON 17.9 mΩ OptiMOS 3 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2.2V 1.7V 2.1 W 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 120 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 124-8751
制造商零件编号IPB120P04P4L03ATMA1
品牌Infineon
RMB14.20
个 (在毎卷：1000)
单位
 P 120 A 40 V D2PAK (TO-263) 5.2 mΩ OptiMOS P 贴片 3 -16 V、+16 V 增强 2.2V 1.2V 136 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, SI2338DS-T1-GE3
RS 库存编号 165-6909
制造商零件编号SI2338DS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB1.474
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 6 A 30 V SOT-23 33 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1.2V 2.5 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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