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MOSFET

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显示 1261 - 1280 个产品，共 12067 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2.5 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, NTR4503NT1G
RS 库存编号 121-6309
制造商零件编号NTR4503NT1G
品牌onsemi
RMB0.795
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 2.5 A 30 V SOT-23 140 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3V - 730 mW 单
Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 7.2 A，8 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, SI4564DY-T1-GE3
RS 库存编号 812-3230
制造商零件编号SI4564DY-T1-GE3
品牌Vishay
RMB7.018
/个 (每包:10个)
单位
 N，P 7.2 A，8 A 40 V SOIC 20 mΩ, 28 mΩ - 贴片 8 -20 V、-16 V、+16 V、+20 V 增强 - 0.8V 3.1 W, 3.2 W 隔离式
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 48 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS3572
RS 库存编号 917-5469
制造商零件编号FDMS3572
品牌onsemi
RMB18.536
/个 (每包:5个)
单位
 N 48 A 80 V PQFN8 29 mΩ UltraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 78 W 单
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19534KCS
RS 库存编号 145-1334
制造商零件编号CSD19534KCS
品牌德州仪器
RMB8.96
毎管：50 个
单位
 N 100 A 100 V TO-220 20 MΩ NexFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - - 118 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 7.3 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, SPA07N60C3XKSA1
RS 库存编号 752-8460
制造商零件编号SPA07N60C3XKSA1
品牌Infineon
RMB15.325
/个 (每包:2个)
单位
 N 7.3 A 650 V TO-220 FP 600 mΩ CoolMOS C3 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.1V 32 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 260 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRLB3813PBF
RS 库存编号 913-4032
制造商零件编号IRLB3813PBF
品牌Infineon
RMB8.687
毎管：50 个
单位
 N 260 A 30 V TO-220AB 2 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.35V 1.35V 230 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, FDC6312P
RS 库存编号 671-0340
制造商零件编号FDC6312P
品牌onsemi
RMB4.216
/个 (每包:5个)
单位
 P 2.3 A 20 V SOT-23 115 mΩ PowerTrench 贴片 6 -8 V、+8 V 增强 - 0.4V 960 mW 隔离式
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=300 V, 120 A, PLUS247, 通孔安装, 3引脚, IXFX120N30P3
RS 库存编号 168-4745
制造商零件编号IXFX120N30P3
品牌IXYS
RMB103.352
毎管：30 个
单位
 N 120 A 300 V PLUS247 27 mΩ HiperFET, Polar3 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 5V - 1.13 kW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 9.3 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF630NPBF
RS 库存编号 919-5025
制造商零件编号IRF630NPBF
品牌Infineon
RMB6.545
毎管：50 个
单位
 N 9.3 A 200 V TO-220AB 300 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 82 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 115 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, 2N7002DW
RS 库存编号 166-1841
制造商零件编号2N7002DW
品牌onsemi
RMB0.747
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 115 mA 60 V SOT-363 13.5 Ω - 贴片 6 -20 V、+20 V 增强 - 1V 200 mW 隔离式
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 93 A, SO-8FL, 贴片安装, 8引脚, NTMFS4935NT1G
RS 库存编号 163-1133
制造商零件编号NTMFS4935NT1G
品牌onsemi
RMB5.219
个 (在毎卷：1500)
单位
 N 93 A 30 V SO-8FL 4.2 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2.2V - 48 W 单
Infineon N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2 A，2.7 A, MSOP, 贴片安装, 8引脚, IRF7509TRPBF
RS 库存编号 301-192
制造商零件编号IRF7509TRPBF
品牌Infineon
RMB5.14
个
单位
 N，P 2 A，2.7 A 30 V MSOP 110 mΩ, 200 mΩ HEXFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 1V 1V 1.25 W 隔离式
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002KW
RS 库存编号 805-1135
制造商零件编号2N7002KW
品牌onsemi
RMB0.704
Each (On a Tape of 100)
单位
 N 300 mA 60 V SOT-23 4.8 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1.1V 350 mW 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1 A, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD9120PBF
RS 库存编号 541-0553
制造商零件编号IRFD9120PBF
品牌Vishay
RMB8.78
个
单位
 P 1 A 100 V HVMDIP 600 mΩ - 通孔 4 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1.3 W 单
Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
RS 库存编号 798-2937
制造商零件编号PSMN2R6-40YS,115
品牌Nexperia
RMB9.098
/个 (每包:5个)
单位
 N 100 A 40 V LFPAK,SOT-669 3.7 mΩ - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 131 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, NTMD4N03R2G
RS 库存编号 780-0674
制造商零件编号NTMD4N03R2G
品牌onsemi
RMB3.547
/个 (每包:10个)
单位
 N 4 A 30 V SOIC 80 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 2 W 隔离式
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 110 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH110N10P
RS 库存编号 193-492
制造商零件编号IXFH110N10P
品牌IXYS
RMB52.48
个
单位
 N 110 A 100 V TO-247 15 MΩ HiperFET, Polar 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 5V - 480000 mW 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 26 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STW33N60M2
RS 库存编号 168-8076
制造商零件编号STW33N60M2
品牌STMicroelectronics
RMB30.141
毎管：30 个
单位
 N 26 A 650 V TO-247 125 mΩ MDmesh M2 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 4V 2V 190 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 22 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FDP22N50N
RS 库存编号 739-4860
制造商零件编号FDP22N50N
品牌onsemi
RMB23.90
个
单位
 N 22 A 500 V TO-220 220 mΩ UniFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 3V 312.5 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 17 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, SQ4401EY-T1_GE3
RS 库存编号 819-3917
制造商零件编号SQ4401EY-T1_GE3
品牌Vishay
RMB14.49
/个 (每包:10个)
单位
 P 17 A 40 V SOIC 24 mΩ SQ Rugged 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - 1.5V 7.14 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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