描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
178-3718
制造商零件编号SQJ431AEP-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB5.855
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 9.4 A | 200 V | PowerPAK SO-8L | 760 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 4 | ±20 V | 增强 | 3.5V | 2.5V | 68 W | 单 |
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RS 库存编号
178-3709
制造商零件编号SQA401EEJ-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB1.528
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 2.68 A | 20 V | SC-70-6L | 200 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 6 | ±8 V | 增强 | 1.5V | 0.6V | 13.6 W | 单 |
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RS 库存编号
178-3719
制造商零件编号SQJ481EP-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB3.201
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 16 A | 80 V | PowerPAK SO-8L | 90 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 4 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 45 W | 单 |
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RS 库存编号
178-3717
制造商零件编号SQJ415EP-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB3.202
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 30 A | 40 V | PowerPAK SO-8L | 20 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 4 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 45 W | 单 |
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RS 库存编号
178-3710
制造商零件编号SQA403EJ-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB1.528
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 10 A | 30 V | SC-70-6L | 30 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 6 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 13.6 W | 单 |
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RS 库存编号
178-3721
制造商零件编号SQJ872EP-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB4.665
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 24.5 A | 150 V | PowerPAK SO-8L | 80 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 4 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 3.5V | 55 W | 单 |
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RS 库存编号
178-3720
制造商零件编号SQJ504EP-T1_GE3
品牌威世硅尼克斯
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RMB4.665
个 (在毎卷:3000)
单位
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N,P | 30 A | 40 V | PowerPak SO-8L Dual | 30 mΩ | TrenchFET | 贴片 | 4 | ±20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 34 w 、 34 w | - |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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