IGBT
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筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
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RS 库存编号
253-3505
制造商零件编号BIDW20N60T
品牌Bourns
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RMB22.915
/个 (每包:2个)
单位
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20 A | 600 V | ±20V | 1 | 192 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
226-6113
制造商零件编号IKW30N65EL5XKSA1
品牌Infineon
|
RMB30.015
/个 (每包:2个)
单位
|
85 A | 650 V | 30V | 1 | 227 W | PG-TO247 | 单 | - | N | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7413
制造商零件编号FZ400R12KE4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,162.59
个
单位
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400 A | 1200 V | +/-20V | - | 2.4 kW | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-9836
制造商零件编号FP75R12N2T7PB11BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,087.431
Each (In a Tray of 10)
单位
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75 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
226-6111
制造商零件编号IKQ75N120CS6XKSA1
品牌Infineon
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RMB85.64
个
单位
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150 A | 1200 V | 25V | 1 | 880 W | PG-TO247 | 单 | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
221-6684
制造商零件编号NFAM0512L5BT
品牌onsemi
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RMB220.80
个
单位
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5 A | 1200 V | 16.5V | 6 | - | DIP | 3 相桥接 | - | N | 39 | - | - | - |
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RS 库存编号
274-1341
制造商零件编号VS-GT75LA60UF
品牌Vishay
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RMB290.67
个
单位
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81 A | 600 V | ± 20V | 1 | 231 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
259-1525
制造商零件编号IGP50N60TXKSA1
品牌Infineon
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RMB28.18
/个 (每包:2个)
单位
|
90 A | 600 V | ±20V | 3 | 333 W | PG-TO220-3 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6653
制造商零件编号IKB40N65EH5ATMA1
品牌Infineon
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RMB31.945
/个 (每包:2个)
单位
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74 A | 650 V | ±20 V, ±30 V | - | 333 W | PG-TO247-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
|
RS 库存编号
222-4794
制造商零件编号FF600R12KE4BOSA1
品牌Infineon
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RMB1,800.98
个
单位
|
600 A | 1200 V | 20V | - | 1.2 千瓦 | Ag- 62mm | 双 | - | N | - | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
258-0891
制造商零件编号FS35R12W1T7BOMA1
品牌Infineon
|
RMB262.725
Each (In a Tray of 24)
单位
|
35 A | 1200 V | ±20V | - | - | AG-EASY1B-711 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-5300
制造商零件编号FF450R17ME4BOSA1
品牌Infineon
|
RMB2,811.91
个
单位
|
450 A | 1700 V | ±20V | - | 2.5 kW | - | 双 | 面板 | - | 7 | - | - | - |
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RS 库存编号
232-6727
制造商零件编号IKW25N120CS7XKSA1
品牌Infineon
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RMB35.021
毎管：30 个
单位
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25 A | 1200 V | ±20V | 1 | 250 W | TO-247-3 | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
204-9872
制造商零件编号STGF20H65DFB2
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RMB13.57
/个 (每包:5个)
单位
|
40 A | 650 V | ±20V | 1 | 45 W | TO-220FP | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
202-5682
制造商零件编号NXH35C120L2C2SG
品牌onsemi
|
RMB722.58
个
单位
|
35 A | 650 V | ±20.0V | 6 | - | DIP26 | 3 相 | 通孔 | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
249-6945
制造商零件编号IKW75N65RH5XKSA1
品牌Infineon
|
RMB66.211
毎管：30 个
单位
|
75 A | 650 V | 15V | 2 | 395 W | PG-TO247-3 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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新产品
|
RS 库存编号
276-6406
制造商零件编号VS-GT200TS065N
品牌Vishay
|
RMB1,266.911
个 (以毎盒：15)
单位
|
193 A | 650 V | ± 20V | 2 | 517 W | INT-A-PAK | 半桥 | 面板 | N | 7 | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6628
制造商零件编号IGB15N60TATMA1
品牌Infineon
|
RMB14.022
/个 (每包:5个)
单位
|
26 A | 600 V | ±20V | - | 130 W | Pg － TO263 － 3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
|
RS 库存编号
258-0987
制造商零件编号IGP30N65F5XKSA1
品牌Infineon
|
RMB16.045
/个 (每包:2个)
单位
|
- | - | - | - | 188 W | PG-TO220-3 | - | - | - | - | - | - | - |
|
新产品
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RS 库存编号
275-1344
制造商零件编号STGIK10M120T
|
RMB650.05
个
单位
|
10 A | 1200 V | - | - | 125 W | SDIPHP-30L | 3 相 | 通孔 | P | 30 | - | - | - |
热门搜索
IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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