描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
202-5671
制造商零件编号AFGHL40T65SQD
品牌onsemi
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RMB37.324
/个 (每包:10个)
单位
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80 A | 650 V | ±30.0V | 30 | 238 瓦 | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
273-7435
制造商零件编号IGW30N60H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB17.72
/个 (每包:2个)
单位
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60 A | 600 V | +/-20V | 1 | 187 W | PG-TO247-3 | - | 通孔 | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
253-9845
制造商零件编号FS150R12N2T7B15BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,346.29
个
单位
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150 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
468-2454
制造商零件编号SKM200GB125D
品牌Semikron
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RMB2,165.42
个
单位
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200 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
260-8893
制造商零件编号FF600R12IP4BOSA1
品牌Infineon
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RMB2,811.09
个
单位
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600 A | 1200 V | ±20V | 2 | 20 mW | AG-PRIME2 | 双 | 底盘安装 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3508
制造商零件编号BIDW50N65T
品牌Bourns
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RMB23.205
毎管:600 个
单位
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50 A | 650 V | ±20V | 1 | 416 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
258-0875
制造商零件编号FP40R12KE3BPSA1
品牌Infineon
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RMB794.40
个
单位
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- | 1200 V | ±20V | - | 210 W | AG-ECONO2C-311 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6615
制造商零件编号AIKW30N60CTXKSA1
品牌Infineon
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RMB45.08
/个 (每包:2个)
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | 187 W | PG-TO247-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
259-2721
制造商零件编号FF1800R23IE7PBPSA1
品牌Infineon
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RMB13,609.933
Each (In a Tray of 3)
单位
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1.8 kA | 2300 V | ±20V | - | 2,700千瓦 | PRIME3+ | - | 螺钉 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
259-1531
制造商零件编号IKP15N65H5XKSA1
品牌Infineon
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RMB18.605
/个 (每包:2个)
单位
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30 A | 650 V | ±20V | - | 105 W | PG-TO220-3 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
226-6075
制造商零件编号IHW15N120E1XKSA1
品牌Infineon
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RMB14.843
毎管:30 个
单位
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30 A | 1200 V | 25V | 1 | 156 W | PG-TO247 | 单 | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
260-1177
制造商零件编号F3L600R10W4S7FC22BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,852.263
Each (In a Tray of 6)
单位
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310 A | 950 V | ±20V | - | 20 mW | EasyPACK 模块 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
233-2434
制造商零件编号CM300DX-13T#300G
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RMB1,627.90
个
单位
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300 A | 600 V | 20V | 2 | 1.15 kW | 122x62 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
146-4254
制造商零件编号IXYX30N170CV1
品牌IXYS
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RMB122.877
毎管:30 个
单位
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100 A | 1700 V | ±20 V, ±30V | 1 | 937 W | PLUS247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
202-4066
制造商零件编号NFAL5065L4BT
品牌onsemi
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RMB357.463
毎管:24 个
单位
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50 A | 650 V | 15V | 6 | - | SPM49 -驾驶室 | 3 相 | 通孔 | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
260-5107
制造商零件编号IKY75N120CH3XKSA1
品牌Infineon
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RMB105.268
毎管:30 个
单位
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150 A | 1200 V | ±20V | - | 938 W | PG-TO247-4-2 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-5300
制造商零件编号FF450R17ME4BOSA1
品牌Infineon
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RMB2,811.91
个
单位
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450 A | 1700 V | ±20V | - | 2.5 kW | - | 双 | 面板 | - | 7 | - | - | - |
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RS 库存编号
273-2970
制造商零件编号IKFW75N65ES5XKSA1
品牌Infineon
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RMB62.36
个
单位
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
235-2731
制造商零件编号RGSX5TS65EHRC11
品牌ROHM
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RMB72.72
个
单位
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75 A | 650 V | ±30V | 1 | 404 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
253-9843
制造商零件编号FS100R12N2T7B15BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,114.31
个
单位
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100 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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