IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 202-5671
制造商零件编号AFGHL40T65SQD
品牌onsemi
RMB37.324
/个 (每包:10个)
单位
80 A 650 V ±30.0V 30 238 瓦 TO-247 - - N 3 - -
RS 库存编号 273-7435
制造商零件编号IGW30N60H3FKSA1
品牌Infineon
RMB17.72
/个 (每包:2个)
单位
60 A 600 V +/-20V 1 187 W PG-TO247-3 - 通孔 - 3 - - -
RS 库存编号 253-9845
制造商零件编号FS150R12N2T7B15BPSA1
品牌Infineon
RMB1,346.29
单位
150 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -
RS 库存编号 468-2454
制造商零件编号SKM200GB125D
品牌Semikron
RMB2,165.42
单位
200 A 1200 V ±20V - - SEMITRANS3 双半桥 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.5mm
RS 库存编号 260-8893
制造商零件编号FF600R12IP4BOSA1
品牌Infineon
RMB2,811.09
单位
600 A 1200 V ±20V 2 20 mW AG-PRIME2 底盘安装 - - - - -
RS 库存编号 253-3508
制造商零件编号BIDW50N65T
品牌Bourns
RMB23.205
毎管:600 个
单位
50 A 650 V ±20V 1 416 W TO-247 单二极管 - - - - - -
RS 库存编号 258-0875
制造商零件编号FP40R12KE3BPSA1
品牌Infineon
RMB794.40
单位
- 1200 V ±20V - 210 W AG-ECONO2C-311 - - - - - - -
RS 库存编号 215-6615
制造商零件编号AIKW30N60CTXKSA1
品牌Infineon
RMB45.08
/个 (每包:2个)
单位
60 A 600 V ±20V - 187 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 259-2721
制造商零件编号FF1800R23IE7PBPSA1
品牌Infineon
RMB13,609.933
Each (In a Tray of 3)
单位
1.8 kA 2300 V ±20V - 2,700千瓦 PRIME3+ - 螺钉 - - - - -
RS 库存编号 259-1531
制造商零件编号IKP15N65H5XKSA1
品牌Infineon
RMB18.605
/个 (每包:2个)
单位
30 A 650 V ±20V - 105 W PG-TO220-3 - - - - - - -
RS 库存编号 226-6075
制造商零件编号IHW15N120E1XKSA1
品牌Infineon
RMB14.843
毎管:30 个
单位
30 A 1200 V 25V 1 156 W PG-TO247 - N 3 - -
RS 库存编号 260-1177
制造商零件编号F3L600R10W4S7FC22BPSA1
品牌Infineon
RMB1,852.263
Each (In a Tray of 6)
单位
310 A 950 V ±20V - 20 mW EasyPACK 模块 - - - - - - -
RS 库存编号 233-2434
制造商零件编号CM300DX-13T#300G
RMB1,627.90
单位
300 A 600 V 20V 2 1.15 kW 122x62 毫米 - - - - 双路 -
RS 库存编号 146-4254
制造商零件编号IXYX30N170CV1
品牌IXYS
RMB122.877
毎管:30 个
单位
100 A 1700 V ±20 V, ±30V 1 937 W PLUS247 - 通孔 - 3 - 16.13 x 5.21 x 21.34mm
RS 库存编号 202-4066
制造商零件编号NFAL5065L4BT
品牌onsemi
RMB357.463
毎管:24 个
单位
50 A 650 V 15V 6 - SPM49 -驾驶室 3 相 通孔 N - - - -
RS 库存编号 260-5107
制造商零件编号IKY75N120CH3XKSA1
品牌Infineon
RMB105.268
毎管:30 个
单位
150 A 1200 V ±20V - 938 W PG-TO247-4-2 - - - - - -
RS 库存编号 273-5300
制造商零件编号FF450R17ME4BOSA1
品牌Infineon
RMB2,811.91
单位
450 A 1700 V ±20V - 2.5 kW - 面板 - 7 - - -
RS 库存编号 273-2970
制造商零件编号IKFW75N65ES5XKSA1
品牌Infineon
RMB62.36
单位
- - - - - - - - - - - - -
RS 库存编号 235-2731
制造商零件编号RGSX5TS65EHRC11
品牌ROHM
RMB72.72
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 253-9843
制造商零件编号FS100R12N2T7B15BPSA1
品牌Infineon
RMB1,114.31
单位
100 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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