描述

价格

通道类型

最大连续漏极电流

最大漏源电压

封装类型

最大漏源电阻值

系列

安装类型

引脚数目

最大栅源电压

通道模式

最大栅阈值电压

最小栅阈值电压

最大功率耗散

晶体管配置

新产品	达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 15.4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, DMN3032LE-13 RS 库存编号 828-3196 制造商零件编号DMN3032LE-13 品牌达尔比较	RMB2.879 /个 (每包:20个) 单位	N	15.4 A	30 V	SOT-223	35 mΩ	-	贴片	3	-20 V、+20 V	增强	2V	-	1.8 W	单
新产品	达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMN2056U-7 RS 库存编号 133-3376 制造商零件编号DMN2056U-7 品牌达尔比较	RMB1.663 /个 (每包:50个) 单位	N	4 A	20 V	SOT-23	85 mΩ	DMN2056U	贴片	3	-8 V、+8 V	增强	1V	0.4V	940 mW	单
新产品	达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 12.2 A, U-DFN2020, 贴片安装, 6引脚, DMN1008UFDF-7 RS 库存编号 182-6884 制造商零件编号DMN1008UFDF-7 品牌达尔比较	RMB0.905 个 (在毎卷：3000) 单位	N	12.2 A	12 V	U-DFN2020	12.5 mΩ	-	贴片	6	±8 V	增强	1V	0.3V	1.7 W	单
新产品	达尔 P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 6.5 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, DMP2040USD-13 RS 库存编号 182-6908 制造商零件编号DMP2040USD-13 品牌达尔比较	RMB1.135 个 (在毎卷：2500) 单位	P	6.5 A	20 V	SO-8	52 mΩ	-	贴片	8	±12 V	增强	1.5V	0.6V	1.6 W	单
新产品	达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMN2040U-7 RS 库存编号 182-6889 制造商零件编号DMN2040U-7 品牌达尔比较	RMB0.487 个 (在毎卷：3000) 单位	N	6 A	20 V	SOT-23	33 mΩ	-	贴片	3	±12 V	增强	1.2V	0.5V	1.36 W	单
新产品	达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 500 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMN31D5L-7 RS 库存编号 182-6898 制造商零件编号DMN31D5L-7 品牌达尔比较	RMB0.424 个 (在毎卷：3000) 单位	N	500 mA	30 V	SOT-23	2 mΩ	-	贴片	3	±20 V	增强	1.6V	0.8V	520 mW	单
新产品	达尔 P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 5.5 A, TSOT-26, 贴片安装, 6引脚, DMP2040UVT-7 RS 库存编号 182-6910 制造商零件编号DMP2040UVT-7 品牌达尔比较	RMB0.759 个 (在毎卷：3000) 单位	P	5.5 A	20 V	TSOT-26	52 mΩ	-	贴片	6	±12 V	增强	1.5V	0.6V	1.5 W	单
新产品	达尔 N/P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4 A，3.3 A, TSOT-26, 贴片安装, 6引脚, DMC2057UVT-7 RS 库存编号 182-6877 制造商零件编号DMC2057UVT-7 品牌达尔比较	RMB0.765 个 (在毎卷：3000) 单位	N，P	4 A，3.3 A	20 V	TSOT-26	160 （ mΩ ） μ a 、 91 （ n 沟道） mΩ μ a	-	贴片	6	±12 v 、 ±8 v	增强	1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V	0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V	1.1 W	-
新产品	达尔 P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 7 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, DMP2040USS-13 RS 库存编号 182-6909 制造商零件编号DMP2040USS-13 品牌达尔比较	RMB0.975 个 (在毎卷：2500) 单位	P	7 A	20 V	SO-8	52 mΩ	-	贴片	8	±12 V	增强	1.5V	0.6V	1.8 W	单

MOSFET