达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 15.4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, DMN3032LE-13
- RS 库存编号 828-3196
- 制造商零件编号 DMN3032LE-13
- 制造商 达尔
产品详细信息
N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15.4 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6.55mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 3.55mm |
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单价（不含税） /个 (每包:20个)
RMB
2.879
(不含税)
RMB
3.253
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
20 - 620
RMB2.879
RMB57.58
640 - 1240
RMB2.819
RMB56.38
1260 +
RMB2.735
RMB54.70
* 参考价格
包装方式：
