MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 738-7682
制造商零件编号D1028UK
品牌Semelab
RMB2,647.20
单位
N 30 A 70 V DR - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 438 W 共源
RS 库存编号 177-5505
制造商零件编号D1028UK
品牌Semelab
RMB2,214.563
Each (In a Tray of 20)
单位
N 30 A 70 V DR - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 438 W 共源
RS 库存编号 738-7597
制造商零件编号VN10K
品牌Semelab
RMB149.46
单位
N 170 mA 60 V TO-18 9 Ω - 通孔 3 -3 V、+15 V 增强 2.5V - 313 mW
RS 库存编号 177-5489
制造商零件编号VN10K
品牌Semelab
RMB123.738
Each (In a Tray of 30)
单位
N 170 mA 60 V TO-18 9 Ω - 通孔 3 -3 V、+15 V 增强 2.5V - 313 mW
RS 库存编号 177-5493
制造商零件编号D2081UK.F
品牌Semelab
RMB77.182
Each (In a Tray of 50)
单位
N 200 mA 65 V SOT-223 - TetraFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 7V - 2 W
RS 库存编号 738-7720
制造商零件编号D2081UK.F
品牌Semelab
RMB96.48
单位
N 200 mA 65 V SOT-223 - TetraFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 7V - 2 W
RS 库存编号 177-5507
制造商零件编号D1008UK
品牌Semelab
RMB1,980.142
Each (In a Tray of 25)
单位
N 10 A 70 V DK - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 175 W 共源
RS 库存编号 738-7663
制造商零件编号D1008UK
品牌Semelab
RMB1,980.83
单位
N 10 A 70 V DK - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 175 W 共源
RS 库存编号 177-5494
制造商零件编号D2219UK
品牌Semelab
RMB305.999
Each (In a Tray of 50)
单位
N 2 A 40 V SOIC - TetraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 5V - 17.5 W
RS 库存编号 738-7755
制造商零件编号D2219UK
品牌Semelab
RMB359.21
单位
N 2 A 40 V SOIC - TetraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 5V - 17.5 W
RS 库存编号 738-7660
制造商零件编号D1011UK
品牌Semelab
RMB414.76
单位
N 5 A 70 V SOIC - TetraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 7V - 30 W
RS 库存编号 177-5481
制造商零件编号D1001UK
品牌Semelab
RMB560.155
Each (In a Tray of 25)
单位
N 5 A 70 V DA 1 Ω TetraFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 7V - 50 W
RS 库存编号 177-5490
制造商零件编号D1011UK
品牌Semelab
RMB340.579
Each (In a Tray of 50)
单位
N 5 A 70 V SOIC - TetraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 7V - 30 W
RS 库存编号 738-7648
制造商零件编号D1001UK
品牌Semelab
RMB667.71
单位
N 5 A 70 V DA 1 Ω TetraFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 7V - 50 W
RS 库存编号 738-7657
制造商零件编号D1002UK
品牌Semelab
RMB798.85
单位
N 10 A 70 V DA - TetraFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 7V - 87 W
RS 库存编号 177-5491
制造商零件编号D2020UK
品牌Semelab
RMB652.823
Each (In a Tray of 50)
单位
N 2 A 65 V SOIC - TetraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 5V - 30 W
RS 库存编号 177-5482
制造商零件编号D1002UK
品牌Semelab
RMB659.685
Each (In a Tray of 25)
单位
N 10 A 70 V DA - TetraFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 7V - 87 W
RS 库存编号 738-7711
制造商零件编号D2020UK
品牌Semelab
RMB815.94
单位
N 2 A 65 V SOIC - TetraFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 5V - 30 W
RS 库存编号 738-7685
制造商零件编号D1017UK
品牌Semelab
RMB1,130.49
单位
N 30 A 70 V DM - TetraFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 7V - 220 W
RS 库存编号 738-7691
制造商零件编号D1029UK
品牌Semelab
RMB2,668.18
单位
N 35 A 70 V 扭杆 - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 438 W 共源

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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