Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, TO-18, 通孔安装, 3引脚, VN10K

  • RS 库存编号 177-5489
  • 制造商零件编号 VN10K
  • 制造商 Semelab
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): GB
产品详细信息

N 沟道 MOSFET 晶体管,Semelab

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Semelab

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 170 mA
最大漏源电压 60 V
封装类型 TO-18
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 9 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最大功率耗散 313 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -3 V、+15 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
长度 5.84mm
最高工作温度 +150 °C
暂时缺货-将在补货后发货。
单价(不含税) Each (In a Tray of 30)
RMB 123.738
(不含税)
RMB 139.824
(含税)
单位
Per unit
Per Tray*
30 - 30
RMB123.738
RMB3,712.14
60 - 90
RMB119.703
RMB3,591.09
120 +
RMB115.669
RMB3,470.07
* 参考价格