描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
162-3274
制造商零件编号IRLML2502TRPBF
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RMB0.913
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 4.2 A | 20 V | SOT-23 | 80 mΩ | IRLML2502 | 贴片 | 3 | ±12 V | 增强 | 1.2V | 0.6V | 1.25 W | 单 |
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RS 库存编号
162-3304
制造商零件编号IRLML2502TRPBF
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RMB2.449
/个 (每包:20个)
单位
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N | 4.2 A | 20 V | SOT-23 | 80 mΩ | IRLML2502 | 贴片 | 3 | ±12 V | 增强 | 1.2V | 0.6V | 1.25 W | 单 |
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RS 库存编号
171-1923
制造商零件编号IRF7424TRPBF
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RMB8.003
/个 (每包:10个)
单位
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P | 11 A | 30 V | SO-8 | 22 mΩ | IRF7424PbF | 贴片 | 8 | 20 V | 增强 | 2.5V | 1V | 2.5 W | 单 |
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RS 库存编号
170-2272
制造商零件编号IRF7424TRPBF
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RMB4.488
个 (在毎卷:4000)
单位
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P | 11 A | 30 V | SO-8 | 22 mΩ | IRF7424PbF | 贴片 | 8 | 20 V | 增强 | 2.5V | 1V | 2.5 W | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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