International Rectifier N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, IRLML2502TRPBF
- RS 库存编号 162-3304
- 制造商零件编号 IRLML2502TRPBF
- 制造商 International Rectifier
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
20V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用微型 3 封装
工业标准引脚输出 SOT-23 封装
与现有表面安装技术兼容，无卤素
多供应商兼容性
更易于制造
环保
增强的可靠性
该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 系列 | IRLML2502 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 1.4mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 3.04mm |
560 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:20个)
RMB
2.449
(不含税)
RMB
2.767
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
20 - 740
RMB2.449
RMB48.98
760 - 1480
RMB2.376
RMB47.52
1500 +
RMB2.304
RMB46.08
* 参考价格
包装方式：
