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MOSFET

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显示 1001 - 1020 个产品，共 12067 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 4.5 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, FCU900N60Z
RS 库存编号 864-4992
制造商零件编号FCU900N60Z
品牌onsemi
RMB6.783
毎管：75 个
单位
 N 4.5 A 600 V IPAK (TO-251) 900 mΩ SuperFET II 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2.5V 52 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 280 mA, SOT-963, 贴片安装, 6引脚, NTUD3170NZG
RS 库存编号 780-4792
制造商零件编号NTUD3170NZT5G
品牌onsemi
RMB2.879
Each (On a Tape of 25)
单位
 N 280 mA 20 V SOT-963 4.5 Ω - 贴片 6 -8 V、+8 V 增强 1V - 200 mW 隔离式
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 760 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚, NTA4151PG
RS 库存编号 780-0504
制造商零件编号NTA4151PT1G
品牌onsemi
RMB1.89
/个 (每包:50个)
单位
 P 760 mA 20 V SC-75 1 Ω - 贴片 3 -6 V、+6 V 增强 1.2V - 300 mW 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 700 mA, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD9110PBF
RS 库存编号 541-0749
制造商零件编号IRFD9110PBF
品牌Vishay
RMB10.19
个
单位
 P 700 mA 100 V HVMDIP 1.2 Ω - 通孔 4 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1.3 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, IRLL2705TRPBF
RS 库存编号 830-3304
制造商零件编号IRLL2705TRPBF
品牌Infineon
RMB5.116
/个 (每包:20个)
单位
 N 5.2 A 55 V SOT-223 65 mΩ HEXFET 贴片 3 -16 V、+16 V 增强 2V 1V 2.1 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 350 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP4368PBF
RS 库存编号 124-9016
制造商零件编号IRFP4368PBF
品牌Infineon
RMB43.866
毎管：25 个
单位
 N 350 A 75 V TO-247AC 2 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 520 W 单
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 272 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, CSD19536KTTT
RS 库存编号 900-9857
制造商零件编号CSD19536KTTT
品牌Texas Instruments
RMB43.03
个
单位
 N 272 A 100 V D2PAK (TO-263) 2.8 mΩ NexFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - - 375 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 760 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚, NTA4151PG
RS 库存编号 121-6301
制造商零件编号NTA4151PT1G
品牌onsemi
RMB0.486
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 760 mA 20 V SC-75 1 Ω - 贴片 3 -6 V、+6 V 增强 1.2V - 300 mW 单
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19506KCS
RS 库存编号 162-8558
制造商零件编号CSD19506KCS
品牌德州仪器
RMB27.155
毎管：50 个
单位
 N 273 A 80 V TO-220 2.8 mΩ NexFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.2V 2.1V 375 W 单
Toshiba P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10 A, SOP, 贴片安装, 8引脚, TPC8125
RS 库存编号 168-7782
制造商零件编号TPC8125
品牌Toshiba
RMB3.766
个 (在毎卷：2500)
单位
 P 10 A 30 V SOP 17 mΩ TPC 贴片 8 -25 V，+20 V 增强 2V - 1.9 W 单
DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2 A，4.5 A, TSOT-26, 贴片安装, 6引脚, DMG6601LVT-7
RS 库存编号 823-2915
制造商零件编号DMG6601LVT-7
品牌DiodesZetex
RMB1.722
/个 (每包:50个)
单位
 N，P 2 A，4.5 A 30 V TSOT-26 85 mΩ, 190 mΩ - 贴片 6 -12 V、+12 V 增强 3V - 1.3 W 隔离式
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 8.4 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, FDD4685
RS 库存编号 809-0893
制造商零件编号FDD4685
品牌onsemi
RMB7.603
/个 (每包:10个)
单位
 P 8.4 A 40 V DPAK (TO-252) 42 mΩ PowerTrench 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 69 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, IRLL2705TRPBF
RS 库存编号 168-8747
制造商零件编号IRLL2705TRPBF
品牌Infineon
RMB2.722
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 5.2 A 55 V SOT-223 65 mΩ HEXFET 贴片 3 -16 V、+16 V 增强 2V 1V 2.1 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 30 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 911-4997
制造商零件编号IPD30N10S3L34ATMA1
品牌Infineon
RMB4.203
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 30 A 100 V DPAK (TO-252) 42 mΩ OptiMOS T 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.4V 1.2V 57 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZXMP3A13FTA
RS 库存编号 669-7518
制造商零件编号ZXMP3A13FTA
品牌DiodesZetex
RMB2.129
/个 (每包:10个)
单位
 P 1.6 A 30 V SOT-23 210 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 806 mW 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 220 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002A-7
RS 库存编号 822-8647
制造商零件编号2N7002A-7
品牌DiodesZetex
RMB0.552
/个 (每包:150个)
单位
 N 220 mA 60 V SOT-23 5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V - 540 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, BSP603S2LHUMA1
RS 库存编号 911-4820
制造商零件编号BSP603S2LHUMA1
品牌Infineon
RMB7.592
个 (在毎卷：4000)
单位
 N 5.2 A 55 V SOT-223 33 mΩ OptiMOS 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1.2V 1.8 W 单
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19506KCS
RS 库存编号 827-4903
制造商零件编号CSD19506KCS
品牌Texas Instruments
RMB30.16
个
单位
 N 273 A 80 V TO-220 2.8 mΩ NexFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.2V 2.1V 375 W 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002E-7-F
RS 库存编号 121-9601
制造商零件编号2N7002E-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.287
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 300 mA 60 V SOT-23 4 Ω - 贴片 3 -40 V、+40 V 增强 2.5V - 540 mW 单
Toshiba P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10 A, SOP, 贴片安装, 8引脚, TPC8125
RS 库存编号 796-5115
制造商零件编号TPC8125
品牌Toshiba
RMB4.272
/个 (每包:5个)
单位
 P 10 A 30 V SOP 17 mΩ TPC 贴片 8 -25 V，+20 V 增强 2V - 1.9 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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