Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19506KCS
- RS 库存编号 827-4903
- 制造商零件编号 CSD19506KCS
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 273 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 系列 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.2V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 4.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
9 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个
RMB
30.16
(不含税)
RMB
34.08
(含税)
单位
Per unit
1 +
RMB30.16
包装方式：
