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MOSFET

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显示 1061 - 1080 个产品，共 12067 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, IRLML0060TRPBF
RS 库存编号 725-9341
制造商零件编号IRLML0060TRPBF
品牌Infineon
RMB2.517
/个 (每包:20个)
单位
 N 2.7 A 60 V SOT-23 92 mΩ HEXFET 贴片 3 -16 V、+16 V 增强 2.5V 1V 1250 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=240 V, 480 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, ZVP4424GTA
RS 库存编号 669-7322
制造商零件编号ZVP4424GTA
品牌DiodesZetex
RMB7.14
/个 (每包:5个)
单位
 P 480 mA 240 V SOT-223 9 Ω - 贴片 3 -40 V、+40 V 增强 2V - 2500 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 30 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 753-3018
制造商零件编号IPD30N10S3L34ATMA1
品牌Infineon
RMB7.428
/个 (每包:10个)
单位
 N 30 A 100 V DPAK (TO-252) 42 mΩ OptiMOS T 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.4V 1.2V 57 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 85 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SUP85N10-10-GE3
RS 库存编号 708-5178
制造商零件编号SUP85N10-10-GE3
品牌Vishay
RMB37.26
个
单位
 N 85 A 100 V TO-220AB 10.5 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 250000 mW 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 35 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD30NF06LT4
RS 库存编号 687-5169
制造商零件编号STD30NF06LT4
品牌STMicroelectronics
RMB8.123
/个 (每包:10个)
单位
 N 35 A 60 V DPAK (TO-252) 28 mΩ STripFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1V 70 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 8.4 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, FDD4685
RS 库存编号 166-3419
制造商零件编号FDD4685
品牌onsemi
RMB4.813
个 (在毎卷：2500)
单位
 P 8.4 A 40 V DPAK (TO-252) 42 mΩ PowerTrench 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 69 W 单
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 75 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18504Q5A
RS 库存编号 921-3066
制造商零件编号CSD18504Q5A
品牌德州仪器
RMB4.595
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 75 A 40 V VSONP 9.8 mΩ NexFET 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2.4V 1.5V 3.1 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 83 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS86322
RS 库存编号 124-1342
制造商零件编号FDMS86322
品牌onsemi
RMB9.302
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 83 A 80 V PQFN8 14 mΩ PowerTrench 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - 2V 104 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 24 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD20NF06T4
RS 库存编号 795-9047
制造商零件编号STD20NF06T4
品牌STMicroelectronics
RMB6.61
Each (On a Tape of 10)
单位
 N 24 A 60 V DPAK (TO-252) 40 mΩ STripFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 60 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBE30PBF
RS 库存编号 541-1124
制造商零件编号IRFBE30PBF
品牌Vishay
RMB12.56
个
单位
 N 4.1 A 800 V TO-220AB 3 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 125 W 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, IRLML5103TRPBF
RS 库存编号 302-038
制造商零件编号IRLML5103TRPBF
品牌Infineon
RMB2.794
/个 (每包:5个)
单位
 P 760 mA 30 V SOT-23 600 mΩ HEXFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1V 1V 540 mW 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 74 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF4905PBF
RS 库存编号 540-9799
制造商零件编号IRF4905PBF
品牌Infineon
RMB13.97
个
单位
 P 74 A 55 V TO-220AB 20 MΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 8 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, FQP9N90C
RS 库存编号 166-1889
制造商零件编号FQP9N90C
品牌onsemi
RMB21.341
毎管：50 个
单位
 N 8 A 900 V TO-220AB 1.4 Ω QFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 3V 205 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 140 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, FQA140N10
RS 库存编号 166-1869
制造商零件编号FQA140N10
品牌onsemi
RMB34.244
毎管：30 个
单位
 N 140 A 100 V TO-3PN 10 mΩ QFET 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 - 2V 375 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 80 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD95N2LH5
RS 库存编号 165-6678
制造商零件编号STD95N2LH5
品牌STMicroelectronics
RMB4.897
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 80 A 25 V DPAK (TO-252) 7 mΩ STripFET V 贴片 3 -25 V、+25 V 增强 - 1V 70 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 4.5 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, FQP5N60C
RS 库存编号 145-4529
制造商零件编号FQP5N60C
品牌onsemi
RMB9.036
毎管：50 个
单位
 N 4.5 A 600 V TO-220AB 2.5 Ω QFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 100 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.15 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, SI2328DS-T1-E3
RS 库存编号 710-3266
制造商零件编号SI2328DS-T1-E3
品牌Vishay
RMB4.738
/个 (每包:10个)
单位
 N 1.15 A 100 V SOT-23 250 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 730 mW 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=950 V, 8 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP10N95K5
RS 库存编号 829-1440
制造商零件编号STP10N95K5
品牌STMicroelectronics
RMB21.175
/个 (每包:2个)
单位
 N 8 A 950 V TO-220 800 mΩ MDmesh K5, SuperMESH5 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 130 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 202 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF1404PBF
RS 库存编号 543-1083
制造商零件编号IRF1404PBF
品牌Infineon
RMB11.15
个
单位
 N 202 A 40 V TO-220AB 4 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 333 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 350 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP4368PBF
RS 库存编号 688-7002
制造商零件编号IRFP4368PBF
品牌Infineon
RMB53.90
个
单位
 N 350 A 75 V TO-247AC 2 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 520000 mW 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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