Vishay 晶体管 - IGBT

Vishay MOSFET

Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-SC70-6 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 20V ，最大栅极源电压为 12V。在 4.5V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 18mms。它的最大功耗为 19W ，连续漏极电流为 12A。它的最小和最大驱动电压分别为 1.8V 和 4.5V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

•内置 ESD 保护，带齐纳二极管
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•低接通电阻
•新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•占地面积小
• TrenchFET 功率 MOSFET
•典型 ESD 性能为 1800V

应用

•蓄电池开关
•充电器开关
•负载开关
• 便携式设备

认证

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。