Vishay 晶体管 - IGBT
- RS 库存编号 180-8025
- 制造商零件编号 SUM70060E-GE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 5.6mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•交流 / 直流开关模式电源
•电池管理
•直流 / 交流变频器
•直流 / 直流转换器
• 照明
•电机驱动开关
•同步整流器
• UPS（不间断电源）
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
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单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
13.954
(不含税)
RMB
15.768
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 195
RMB13.954
RMB69.77
200 - 395
RMB13.536
RMB67.68
400 +
RMB13.13
RMB65.65
* 参考价格
包装方式：
