Vishay MOS管, IRLL014TRPBF

Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 N 沟道， SOT-223-3 封装，是具有 60V 漏 - 源电压和 10V 最大栅 - 源电压的新时代产品。在 5V 栅极源电压下，漏极源电阻为 200mohm。MOSFET 的最大功耗为 3.1W。 它的最小和最大驱动电压分别为 4V 和 5V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

•提供带装和卷装
•动态 dV/dt 额定值
•易于并联
•快速切换
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
• 逻辑电平栅极驱动
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V

应用

•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。