Bourns 600 V 30 A IGBT, 单二极管
- RS 库存编号 253-3507
- 制造商零件编号 BIDW30N60T
- 制造商 Bourns
产品技术参数资料
产品详细信息
这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术，可更好地控制动态特性，集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））更低、开关损耗更少。此外，此结构提供更低的热阻 R（th）。
600 V，30 A，低集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））
沟栅式场截止技术
传导优化
符合 RoHS 标准
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 30 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 230 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 配置 | 单二极管 |
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单价（不含税） /个 (每包:2个)
RMB
28.385
(不含税)
RMB
32.075
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
2 - 8
RMB28.385
RMB56.77
10 - 48
RMB25.56
RMB51.12
50 - 98
RMB24.105
RMB48.21
100 - 248
RMB21.005
RMB42.01
250 +
RMB20.575
RMB41.15
* 参考价格
包装方式：
