Bourns 650 V 50 A IGBT, 单二极管
- RS 库存编号 253-3508
- 制造商零件编号 BIDW50N65T
- 制造商 Bourns
产品技术参数资料
产品详细信息
这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术，可更好地控制动态特性，集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））更低、开关损耗更少。此外，此结构提供更低的热阻 R（th）。
650 V，50 A，低集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））
沟栅式场截止技术
传导优化
符合 RoHS 标准
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 50 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 416 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 配置 | 单二极管 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 毎管：600 个
RMB
23.205
(不含税)
RMB
26.222
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
600 +
RMB23.205
RMB13,923.00
* 参考价格
