onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 115 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002LT3G
- RS 库存编号 121-6421
- 制造商零件编号 2N7002LT3G
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 3.04mm |
| 宽度 | 1.4mm |
10000 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个 (在毎卷：10000)
RMB
0.231
(不含税)
RMB
0.261
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
10000 - 10000
RMB0.231
RMB2,310.00
20000 - 90000
RMB0.224
RMB2,240.00
100000 +
RMB0.218
RMB2,180.00
* 参考价格
