ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=45 V, 2 A, TSMT-3, 贴片安装, 3引脚, RQ5H020SPTL

  • RS 库存编号 133-3302
  • 制造商零件编号 RQ5H020SPTL
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 2 A
最大漏源电压 45 V
封装类型 TSMT-3
系列 RQ5H020SP
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 280 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 1 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
宽度 1.8mm
最高工作温度 +150 °C
长度 3mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V
暂时缺货-将在补货后发货。
单价(不含税) /个 (每包:25个)
RMB 2.816
(不含税)
RMB 3.182
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
25 - 725
RMB2.816
RMB70.40
750 - 1475
RMB2.732
RMB68.30
1500 +
RMB2.65
RMB66.25
* 参考价格
包装方式: