Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 40 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP065N60E-GE3
- RS 库存编号 134-9170
- 制造商零件编号 SIHP065N60E-GE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor
Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。
特点
低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 系列 | E Series |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 10.51mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.65mm |
当前暂无库存，可于2025-09-15发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
38.851
(不含税)
RMB
43.902
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 200
RMB38.851
RMB1,942.55
250 +
RMB34.966
RMB1,748.30
* 参考价格
