安世半导体 P沟道增强型MOS管, Vds=-20 V, 5.3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, PMV30XPEAR
- RS 库存编号 153-1886
- 制造商零件编号 PMV30XPEAR
- 制造商 安世半导体
产品技术参数资料
产品详细信息
20 V，P 沟道 Trench MOSFET，P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
超快切换
增强型功耗能力：Ptot = 980 mW
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
继电器驱动器
高速线路驱动器
高侧负载开关
开关电路
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A |
| 最大漏源电压 | -20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 57 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | -1.25V |
| 最小栅阈值电压 | -0.75V |
| 最大功率耗散 | 5435 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 12 V |
| 长度 | 3mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
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单价（不含税） /个 (每包:25个)
RMB
2.462
(不含税)
RMB
2.782
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
25 - 725
RMB2.462
RMB61.55
750 - 1475
RMB2.389
RMB59.725
1500 +
RMB2.317
RMB57.925
* 参考价格
包装方式：
