STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 18 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD25NF20

产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 18 A
最大漏源电压 200 V
封装类型 DPAK (TO-252)
系列 STripFET
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 125 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 110 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
长度 6.6mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
宽度 6.2mm
2500 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) 个 (在毎卷:2500)
RMB 10.685
(不含税)
RMB 12.074
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB10.685
RMB26,712.50
12500 +
RMB10.472
RMB26,180.00
* 参考价格