Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 12 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, SI4178DY-T1-GE3
- RS 库存编号 165-7249
- 制造商零件编号 SI4178DY-T1-GE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 宽度 | 4mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
当前暂无库存，可于2024-09-26发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：2500)
RMB
2.478
(不含税)
RMB
2.80
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB2.478
RMB6,195.00
12500 +
RMB2.23
RMB5,575.00
* 参考价格
