IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 38 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN44N100Q3
- RS 库存编号 168-4755
- 制造商零件编号 IXFN44N100Q3
- 制造商 IXYS
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 38 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | SOT-227 |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class |
| 安装类型 | 螺钉 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 220 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V |
| 最大功率耗散 | 960 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 38.23mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 264 nC @ 10 V |
| 宽度 | 25.07mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
当前暂无库存，可于2024-10-08发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 毎管：10 个
RMB
408.354
(不含税)
RMB
461.44
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
10 - 10
RMB408.354
RMB4,083.54
20 - 30
RMB396.105
RMB3,961.05
40 +
RMB384.222
RMB3,842.22
* 参考价格
