International Rectifier P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 11 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, IRF7424TRPBF
- RS 库存编号 171-1923P
- 制造商零件编号 IRF7424TRPBF
- 制造商 International Rectifier
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon IRF7424 是 30V 单 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 SO-8 封装。SO-8 经改良通过自定义引线框，可增强热特性和多模功能，使其特别适用于各种电源应用。
符合 RoHS
行业领先的质量
工业标准引脚输出
P 沟道 MOSFET
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 系列 | IRF7424PbF |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 75 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
