台湾积体电路 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, TSM230N06CP ROG
- RS 库存编号 171-3703
- 制造商零件编号 TSM230N06CP ROG
- 制造商 台湾积体电路
产品技术参数资料
产品详细信息
Taiwan Semiconductor 60V ， 50A ， 28mΩ Ω ， 3 引脚 N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强型沟道模式。
通过 100% 雪崩测试
快速切换
符合 RoHS
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
53W 最大功耗
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 28 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 53 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5.8mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
7600 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:25个)
RMB
4.311
(不含税)
RMB
4.871
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
25 - 600
RMB4.311
RMB107.775
625 - 1225
RMB4.22
RMB105.50
1250 +
RMB4.094
RMB102.35
* 参考价格
包装方式：
