Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, TK7P60W,RVQ(S

  • RS 库存编号 173-2850
  • 制造商零件编号 TK7P60W,RVQ(S
  • 制造商 Toshiba
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

MOSFET N 通道,TK 6 和 TK 7系列,Toshiba

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Toshiba

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 7 A
最大漏源电压 600 V
系列 TK
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 600 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.7V
最大功率耗散 60 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
长度 6.6mm
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
宽度 6.1mm
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 个 (在毎卷:2000)
RMB 8.749
(不含税)
RMB 9.886
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2000 - 8000
RMB8.749
RMB17,498.00
10000 +
RMB7.874
RMB15,748.00
* 参考价格