Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 11 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF9640PBF
- RS 库存编号 178-0817
- 制造商零件编号 IRF9640PBF
- 制造商 Vishay
产品详细信息
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
Vishay 第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速切换，耐震设备设计，低接通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB 封装是功耗水平约为 50 W 的所有商业 - 工业应用的通用首选
动态 dV/dt 额定值
易于并联
简单的驱动器要求
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 500 MΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.41mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 44 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4.7mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
1450 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
9.757
(不含税)
RMB
11.025
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 200
RMB9.757
RMB487.85
250 +
RMB8.781
RMB439.05
* 参考价格
