STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=125 V, 20 A, M174, 贴片安装, 4引脚, SD2931-10W
- RS 库存编号 178-1388
- 制造商零件编号 SD2931-10W
- 制造商 STMicroelectronics
产品详细信息
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 125 V |
| 封装类型 | M174 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 4 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 389 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 26.67mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +200 °C |
| 宽度 | 24.89mm |
75 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） Each (In a Tray of 25)
RMB
735.369
(不含税)
RMB
830.967
(含税)
单位
Per unit
Per Tray*
25 - 100
RMB735.369
RMB18,384.225
125 +
RMB661.833
RMB16,545.825
* 参考价格
