onsemi N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=650 V, 24 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, FCB125N65S3
- RS 库存编号 205-2470
- 制造商零件编号 FCB125N65S3
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
on ON Semiconductor iii 系列 n 沟道 mosfet 是高电压超结（ sj ） mosfet 系列、利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可最大限度地减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
连续漏极电流额定值为 24A
漏极到电源接通电阻额定值为 125mohm
超低栅极电荷
输出电容中存储的能量低
通过 100% 雪崩测试
封装类型为 D2 - pak
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 系列 | SUPERFET III |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
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单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
28.076
(不含税)
RMB
31.726
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 195
RMB28.076
RMB140.38
200 - 395
RMB27.232
RMB136.16
400 +
RMB26.418
RMB132.09
* 参考价格
包装方式：
