Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=700 V, 145 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 220-7390
- 制造商零件编号 IPB65R065C7ATMA2
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
the Infineon C7 超结 mosfet 系列是革命性的技术进步、可提供世界上最低的 rds （接通） / 封装、并且由于其低切换损耗、在整个负载范围内效率得到了提高。
650V 电压
革命性杰出的 r ds （ on ） /
减少输出电容（ eoss ）中存储的能量
降低栅极电荷 qg
通过使用更小的封装或减少使用、节省空间 零件
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 145 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 系列 | CoolMOS |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.065 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个 (在毎卷：1000)
RMB
34.631
(不含税)
RMB
39.133
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
1000 - 4000
RMB34.631
RMB34,631.00
5000 +
RMB33.592
RMB33,592.00
* 参考价格
