Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 50 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 222-4651
- 制造商零件编号 IPB60R040C7ATMA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon 设计是一 C7 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，符合超级连接（ sj ）原理，由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
适用于硬切换和软切换（ pfc 和高性能 llc ）、将 mosfet dv/dt 坚固性提高到 120V / ns
由于同类最佳 fom rds （接通） * eoss 和 rds （接通） * qg 、提高了效率
同类最佳 rds （接通） / 封装
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO 263 |
| 系列 | CoolMOS |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
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单价（不含税） 个
RMB
82.47
(不含税)
RMB
93.19
(含税)
单位
Per unit
1 - 249
RMB82.47
250 - 499
RMB81.65
500 +
RMB77.57
包装方式：
