Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 31.2 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 222-4657
- 制造商零件编号 IPB65R190C7ATMA2
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon 设计是一项革命性的高电压功率功率功率功率半导体技术、符合超级连接（ sj ）原理、由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
符合 aec Q101 标准
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 31.2 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO 263 |
| 系列 | CoolMOS |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.11. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个 (在毎卷：1000)
RMB
11.062
(不含税)
RMB
12.50
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
1000 - 4000
RMB11.062
RMB11,062.00
5000 +
RMB10.73
RMB10,730.00
* 参考价格
