Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6 双, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号 222-4681
- 制造商零件编号 IPG20N10S4L22ATMA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | SuperSO8 5 x 6 双 |
| 系列 | CoolMOS |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.022. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 晶体管材料 | 硅 |
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单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
9.371
(不含税)
RMB
10.589
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 1240
RMB9.371
RMB93.71
1250 - 2490
RMB9.278
RMB92.78
2500 +
RMB8.814
RMB88.14
* 参考价格
包装方式：
