Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号 222-4701
- 制造商零件编号 IPP60R120C7XKSA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
the Infineon mosfet 又闻名于 mosfet 晶体管，代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
无铅引线电镀
符合 RoHS
经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻
无卤、符合 IEC61249 - 2-23
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 19 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 系列 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.12. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
24.686
(不含税)
RMB
27.895
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 50
RMB24.686
RMB1,234.30
100 - 150
RMB23.881
RMB1,194.05
200 +
RMB23.076
RMB1,153.80
* 参考价格
