Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 77.5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号 222-4720
- 制造商零件编号 IPW60R041P6FKSA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon 设计是一项革命性的高电压功率功率功率功率半导体技术、符合超级连接（ sj ）原理、由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
无铅引线电镀
符合 RoHS
经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻
无卤、符合 IEC61249 - 2-23
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 77.5 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 系列 | CoolMOS |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.041. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 毎管：30 个
RMB
72.983
(不含税)
RMB
82.471
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
30 - 30
RMB72.983
RMB2,189.49
60 - 90
RMB70.603
RMB2,118.09
120 +
RMB68.222
RMB2,046.66
* 参考价格
