Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 4 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, 2SK1835-E

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

Renesas Electronics 硅 N 通道 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 1500 V 的高击穿电压它还适用于开关调节器。

低接通电阻
高速切换
高坚固性
低驱动电流
无二次故障

该产品的行业包装为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 4 A
最大漏源电压 1500 V
封装类型 TO-3PN
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 4.6 Ω
通道模式 增强
晶体管材料
每片芯片元件数目 1
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单价(不含税) 个 (以每管装提供))
RMB 61.89
(不含税)
RMB 69.94
(含税)
单位
Per unit
5 - 9
RMB61.89
10 - 29
RMB60.35
30 +
RMB58.84
包装方式: