Renesas Electronics N 沟道单功率 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 30 V 的高击穿电压它能够提供 4.5 V 栅极驱动。
高速切换
低驱动电流
高密度安装
低接通电阻
无铅
无卤
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 50 A |
最大漏源电压 | 30 V |
系列 | BEAM |
封装类型 | WPAK |
安装类型 | 贴片 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.0029 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |