Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 50 A, WPAK, 贴片安装, 8引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

Renesas Electronics N 沟道单功率 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 30 V 的高击穿电压它能够提供 4.5 V 栅极驱动。

高速切换
低驱动电流
高密度安装
低接通电阻
无铅
无卤

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 50 A
最大漏源电压 30 V
系列 BEAM
封装类型 WPAK
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 0.0029 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
每片芯片元件数目 1
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 10.473
(不含税)
RMB 11.834
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 12000
RMB10.473
RMB31,419.00
15000 +
RMB10.159
RMB30,477.00
* 参考价格