Renesas Electronics N 沟道单功率 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 60 V 的高击穿电压它能够提供 4.5 V 栅极驱动。
高速切换
低驱动电流
高密度安装
低接通电阻
无铅
无卤
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 25 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | LFPAK,SOT-669 |
安装类型 | 贴片 |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 0.014 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.5V |
晶体管材料 | 硅 |
每片芯片元件数目 | 1 |