Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 40 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号 234-7156
- 制造商零件编号 RJK0656DPB-00#J5
- 制造商 Renesas Electronics
产品技术参数资料
产品详细信息
Renesas Electronics N 沟道单功率 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 60 V 的高击穿电压它能够提供 4.5 V 栅极驱动。
高速切换
低驱动电流
高密度安装
低接通电阻
无铅
无卤
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | LFPAK,SOT-669 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0056 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个 (在毎卷：2500)
RMB
15.015
(不含税)
RMB
16.967
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB15.015
RMB37,537.50
12500 +
RMB14.565
RMB36,412.50
* 参考价格
