Infineon N沟道MOS管, Vds=25 V, 153 A, PQFN 3 x 3, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号 241-9698
- 制造商零件编号 BSZ018NE2LSIATMA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，经优化用于高性能降压转换器。经过 100% 雪崩测试。
单片集成类肖特基二极管
符合 IEC61249-2-21 无卤素标准
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 153 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | PQFN 3 x 3 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个 (在毎卷：5000)
RMB
6.148
(不含税)
RMB
6.947
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
5000 - 5000
RMB6.148
RMB30,740.00
10000 +
RMB5.951
RMB29,755.00
* 参考价格
