Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 34.4 A, 1212-8, 贴片安装, 8引脚, SISH107DN-T1-GE3
- RS 库存编号 279-9984
- 制造商零件编号 SISH107DN-T1-GE3
- 制造商 Vishay
产品技术参数资料
产品详细信息
Vishay MOSFET 是 P 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
完全无铅 (Pb) 的器件
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 34.4 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | 1212-8 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 通道模式 | 增强 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
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单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
5.705
(不含税)
RMB
6.447
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 40
RMB5.705
RMB57.05
50 - 90
RMB4.244
RMB42.44
100 - 240
RMB3.77
RMB37.70
250 - 990
RMB3.691
RMB36.91
1000 +
RMB3.612
RMB36.12
* 参考价格
包装方式：
