STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP55NF06
- RS 库存编号 485-7715
- 制造商零件编号 STP55NF06
- 制造商 STMicroelectronics
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 系列 | STripFET II |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 44.5 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.6mm |
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单价（不含税） /个 (每包:5个)
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单位
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