Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 653-2288
- 制造商零件编号 BSS84PH6327XTSA2
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 系列 | SIPMOS |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 10 V |
| 宽度 | 1.3mm |
160 现货库存，2024-04-29 发货。
单价（不含税） /个 (每包:10个)
原价
RMB10.18
RMB
0.865
(不含税)
RMB
0.977
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 +
RMB0.865
RMB8.65
* 参考价格
