Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 5 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, D1011UK

  • RS 库存编号 738-7660P
  • 制造商零件编号 D1011UK
  • 制造商 Semelab
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): GB
产品详细信息

RF MOSFET 晶体管,Semelab

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Semelab

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 70 V
封装类型 SOIC
系列 TetraFET
安装类型 贴片
引脚数目 8
通道模式 增强
最大栅阈值电压 7V
最大功率耗散 30 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
长度 4.06mm
最高工作温度 +200 °C
宽度 5.08mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
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单价(不含税) Each (Supplied in a Tray)
RMB 402.33
(不含税)
RMB 454.63
(含税)
单位
Per unit
13 - 24
RMB402.33
25 +
RMB390.27
包装方式: