Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 752-7773P
- 制造商零件编号 2N7002H6327XTSA2
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon OptiMOS™ 小信号 MOSFET
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 系列 | OptiMOS |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.3mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
74000 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个 (以每卷装提供) 数量若小于150，会采用单条连续包装带
RMB
0.605
(不含税)
RMB
0.684
(含税)
单位
Per unit
200 - 400
RMB0.605
500 - 900
RMB0.59
1000 - 1900
RMB0.575
2000 +
RMB0.561
包装方式：
